CMOS怎么避免衬底效应？cmos用什么晶向的衬底
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为了消除MOS管的体效应(衬底偏置效应)，需将其体端与源极连接。由于典型CMOS工艺中所有的NMOS管共用P型衬底，其体端必须接地；而PMOS管做在N阱里，每一个阱相互独立，可将其体端与源极连接。因此典型CMOS工艺的NMOS管不能消除体效应，PMOS管则可以消除体效应。双阱工艺的PMOS管与NMOS管都有单独的阱，因此它们的体端与源极都可以连接，从而消除体效应。
不论是典型CMOS工艺还是双阱CMOS工艺的CMOS开关，为了消除体效应，MOS管的体端必须与源极相连，而当开关断开时则会存在衬底泄露，发生衬底泄露使开关不能有效关断并产生较大泄露电流，可能会使其它电路不能正常工作。因此传统的CMOS开关要消除体效应就必须使MOS管体端与源极或者漏极相连，但在开关断开时可能会发生衬底泄露；若将NMOS管的体端接最低电位、PMOS管的体端接最高电位可以消除衬底泄露，但在开关导通时会存在体效应。
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